Транзистор IXTH1R4N250P3

IXTH1R4N250P3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-247

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 195 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 2500 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 28 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 24 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 64 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTH1R4N250P3 можно заменить на:

Нет элементов для замены