Транзистор IXTH4N150

IXTH4N150 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-247

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 280 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1500 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 6 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 44.5 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 900 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTH4N150 можно заменить на:

Нет элементов для замены