IXTH52N65X - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 660 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 52 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.068 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 113 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 57 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 3300 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTH52N65X можно заменить на:
Нет элементов для замены