Транзистор IXTH5N100A
IXTH5N100A - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 180 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 88 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTH5N100A можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH6N100 |
PTH |
N |
180 |
1000 |
20 |
4.5 |
6 |
2 |
88 |
- |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFH6N100Q |
PTH |
N |
180 |
1000 |
20 |
4.5 |
6 |
2 |
48 |
- |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFT6N100Q |
SMD |
N |
180 |
1000 |
20 |
4.5 |
6 |
2 |
48 |
- |
- |
150 |
TO-268 |