Транзистор IXTH8P50

IXTH8P50 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-247

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 180 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.2 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 130 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 3400 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTH8P50 можно заменить на:

Нет элементов для замены