Транзистор IXTK20N150
IXTK20N150 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-264
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1250 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 215 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 487 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTK20N150 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTX20N150 |
PTH |
N |
1250 |
1500 |
30 |
4.5 |
20 |
1 |
215 |
30 |
487 |
150 |
PLUS247 |