Транзистор IXTK80N25

IXTK80N25 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-264

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 540 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.035 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 240 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 300 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTK80N25 можно заменить на:

Нет элементов для замены