Транзистор IXTM10N60
IXTM10N60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.7 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 120 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 270 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTM10N60 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH10N60 |
PTH |
N |
180 |
600 |
20 |
4.5 |
10 |
0.7 |
120 |
25 |
270 |
150 |
TO-247 |
| IXTH10N60A |
PTH |
N |
180 |
600 |
20 |
4.5 |
10 |
0.55 |
120 |
25 |
270 |
150 |
TO-247 |
| IXTM10N60A |
PTH |
N |
150 |
600 |
20 |
4.5 |
10 |
0.55 |
120 |
25 |
270 |
150 |
TO-3 |
| STB14NK60Z-1 |
PTH |
N |
160 |
600 |
30 |
4.5 |
13.5 |
0.5 |
75 |
18 |
240 |
150 |
I2PAK |
| STB14NK60ZT4 |
SMD |
N |
160 |
600 |
30 |
4.5 |
13.5 |
0.5 |
75 |
18 |
240 |
150 |
D2PAK |
| STW14NK60Z |
PTH |
N |
160 |
600 |
30 |
4.5 |
13.5 |
0.5 |
75 |
18 |
240 |
150 |
TO-247 |
| WFP12N60 |
PTH |
N |
250 |
600 |
30 |
4.5 |
12 |
0.65 |
43 |
25 |
180 |
150 |
TO-220 |