Транзистор IXTM2N100
IXTM2N100 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 7 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 60 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTM2N100 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTM2N100A |
PTH |
N |
75 |
1000 |
20 |
4.5 |
2 |
6 |
- |
15 |
60 |
150 |
TO-3 |
| IXTP2N100A |
PTH |
N |
75 |
1000 |
20 |
4.5 |
2 |
6 |
- |
15 |
60 |
150 |
TO-220 |
| STD4NK100Z |
SMD |
N |
90 |
1000 |
30 |
4.5 |
2.2 |
6.8 |
18 |
7.5 |
53 |
150 |
DPAK |