Транзистор IXTN120P20T
IXTN120P20T - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: MINIBLOC
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 830 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 15 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 106 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 740 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 85 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2550 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTN120P20T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTK120P20T |
PTH |
P |
1040 |
200 |
15 |
4.5 |
120 |
0.03 |
740 |
85 |
2550 |
150 |
TO-264 |
| IXTX120P20T |
PTH |
P |
1040 |
200 |
15 |
4.5 |
120 |
0.03 |
740 |
85 |
2550 |
150 |
PLUS247 |