Транзистор IXTN210P10T
IXTN210P10T - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: MINIBLOC
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 830 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 15 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 210 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0075 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 740 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 98 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 4070 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTN210P10T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTK210P10T |
PTH |
P |
1040 |
100 |
15 |
4.5 |
210 |
0.0075 |
740 |
98 |
4070 |
150 |
TO-264AA |
| IXTX210P10T |
PTH |
P |
1040 |
100 |
15 |
4.5 |
210 |
0.0075 |
740 |
98 |
4070 |
150 |
PLUS247 |