Транзистор IXTN320N10T

IXTN320N10T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
• Корпус: ISOTOP

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 680 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 320 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0032 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 375 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IXTN320N10T можно заменить на:

Нет элементов для замены