Транзистор IXTN90P20P
IXTN90P20P - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: ISOTOP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 890 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 90 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.044 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 205 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 315 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTN90P20P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTK90P20P |
PTH |
P |
890 |
200 |
20 |
4 |
90 |
0.044 |
205 |
315 |
- |
150 |
TO-264 |
| IXTX90P20P |
PTH |
P |
890 |
200 |
20 |
4 |
90 |
0.044 |
205 |
315 |
- |
150 |
PLUS247 |