Транзистор IXTP10N60P
IXTP10N60P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.74 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 32 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 500 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTP10N60P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFA10N60P |
SMD |
N |
200 |
600 |
30 |
5.5 |
10 |
0.74 |
32 |
200 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXFP10N60P |
PTH |
N |
200 |
600 |
30 |
5.5 |
10 |
0.74 |
32 |
200 |
- |
150 |
TO-220 |
| IXTA10N60P |
SMD |
N |
200 |
600 |
30 |
5.5 |
10 |
0.74 |
32 |
500 |
- |
150 |
TO-263 |