Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTP18N60PM

IXTP18N60PM - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 90 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.42 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 50 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 500 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTP18N60PM можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH18N60P	PTH	N	360	600	30	5.5	18	0.4	50	200	-	150	TO-247
IXFV18N60P	PTH	N	360	600	30	5.5	18	0.4	50	200	-	150	PLUS220
IXFV18N60PS	SMD	N	360	600	30	5.5	18	0.4	50	200	-	150	PLUS220SMD
IXTQ18N60P	PTH	N	360	600	30	5.5	18	0.42	49	500	-	150	TO-3P
IXTV18N60P	PTH	N	360	600	30	5.5	18	0.42	49	500	-	150	PLUS220
IXTV18N60PS	SMD	N	360	600	30	5.5	18	0.42	49	500	-	150	PLUS220SMD