Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4 Транзистор IXTP2N100P полевой MOSFET, его характеристикиСправочник электронных компонентов
Транзистор IXTP2N100P
IXTP2N100P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220
Основные характеристики:
Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 86 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 7.5 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 24.3 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 800 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц