Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTQ100N25P

IXTQ100N25P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 600 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.027 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 185 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTQ100N25P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH100N25P	PTH	N	600	250	20	5	100	0.027	185	200	-	150	TO-247
IXFK120N25P	PTH	N	700	250	20	5	120	0.024	185	200	-	175	TO-264
IXFK140N30P	PTH	N	1040	300	20	5	140	0.024	185	200	-	150	TO-264
IXFN140N30P	Модуль	N	700	300	20	5	110	0.024	185	200	-	150	MINIBLOC
IXFX120N25P	PTH	N	700	250	20	5	120	0.024	185	200	-	175	PLUS247
IXFX140N30P	PTH	N	1040	300	20	5	140	0.024	185	200	-	150	PLUS247
IXTK100N25P	PTH	N	600	250	20	5	100	0.027	185	200	-	150	TO-264
IXTK120N25P	PTH	N	700	250	20	5	120	0.024	185	200	-	175	TO-264
IXTT100N25P	SMD	N	600	250	20	5	100	0.027	185	200	-	150	TO-268