Транзистор IXTQ102N20T
IXTQ102N20T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 750 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 102 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.023 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 114 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 130 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXTQ102N20T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH102N20T |
PTH |
N |
750 |
200 |
30 |
4.5 |
102 |
0.023 |
114 |
130 |
- |
175 |
TO-247 |
| IXTV102N20T |
PTH |
N |
750 |
200 |
30 |
4.5 |
102 |
0.023 |
114 |
130 |
- |
175 |
PLUS220 |