Транзистор IXTQ120N20P
IXTQ120N20P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 714 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 120 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.022 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 152 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 180 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXTQ120N20P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH130N20T |
PTH |
N |
830 |
200 |
20 |
5 |
130 |
0.016 |
150 |
150 |
- |
175 |
TO-247 |
| IXTK120N20P |
PTH |
N |
714 |
200 |
20 |
5 |
120 |
0.022 |
152 |
180 |
- |
175 |
TO-264 |
| IXTQ130N20T |
PTH |
N |
830 |
200 |
20 |
5 |
130 |
0.016 |
150 |
18 |
970 |
175 |
TO-3P |