Транзистор IXTQ160N10T
IXTQ160N10T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 430 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 160 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.007 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 132 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXTQ160N10T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTA160N10T |
SMD |
N |
430 |
100 |
30 |
4.5 |
160 |
0.007 |
132 |
60 |
- |
175 |
TO-263 |
| IXTA160N10T7 |
SMD |
N |
430 |
100 |
30 |
4.5 |
160 |
0.007 |
132 |
100 |
- |
175 |
TO-263 |
| IXTH160N10T |
PTH |
N |
430 |
100 |
30 |
4.5 |
160 |
0.007 |
132 |
100 |
- |
175 |
TO-247 |
| IXTP160N10T |
PTH |
N |
430 |
100 |
30 |
4.5 |
160 |
0.007 |
132 |
60 |
- |
175 |
TO-220 |