Транзистор IXTQ26P20P
IXTQ26P20P - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 26 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.17 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 56 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 240 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXTQ26P20P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTA26P20P |
SMD |
P |
300 |
200 |
20 |
4 |
26 |
0.17 |
56 |
240 |
- |
175 |
TO-263 |
| IXTH26P20P |
PTH |
P |
300 |
200 |
20 |
4 |
26 |
0.17 |
56 |
240 |
- |
175 |
TO-247 |
| IXTP26P20P |
PTH |
P |
300 |
200 |
20 |
4 |
26 |
0.17 |
56 |
240 |
- |
175 |
TO-220 |