Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTQ30N50P

IXTQ30N50P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 460 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 70 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 400 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTQ30N50P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH30N50P	PTH	N	460	500	30	5	30	0.2	70	200	-	150	TO-247
IXFT30N50P	SMD	N	460	500	30	5	30	0.2	70	200	-	150	TO-268
IXFV30N50P	PTH	N	460	500	30	5	30	0.2	70	200	-	150	PLUS220
IXFV30N50PS	SMD	N	460	500	30	5	30	0.2	70	200	-	150	PLUS220SMD
IXTH30N50P	PTH	N	460	500	30	5	30	0.2	70	400	-	150	TO-247
IXTT30N50P	SMD	N	460	500	30	5	30	0.2	70	400	-	150	TO-268
IXTV30N50P	PTH	N	460	500	30	5	30	0.2	70	400	-	150	PLUS220
IXTV30N50PS	SMD	N	460	500	30	5	30	0.2	70	400	-	150	PLUS220SMD