Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTQ30N60L2

IXTQ30N60L2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 540 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.24 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 335 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 710 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTQ30N60L2 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFK38N80Q2	PTH	N	735	800	30	4.5	38	0.22	190	250	-	150	TO-264
IXFK52N60Q2	PTH	N	735	600	30	4.5	52	0.115	198	250	-	150	TO-264
IXFL44N60	PTH	N	568	600	20	4.5	44	0.13	330	250	-	150	ISOPLUS264
IXFN38N80Q2	Модуль	N	735	800	30	4.5	38	0.22	190	250	-	150	MINIBLOC
IXFX38N80Q2	PTH	N	735	800	30	4.5	38	0.22	190	250	-	150	PLUS247
IXFX52N60Q2	PTH	N	735	600	30	4.5	52	0.115	198	250	-	150	PLUS247
IXTH30N60L2	PTH	N	540	600	20	4.5	30	0.24	335	710	-	150	TO-247
IXTT30N60L2	SMD	N	540	600	20	4.5	30	0.24	335	710	-	150	TO-268