Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTQ30N60P

IXTQ30N60P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 540 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.24 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 82 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 500 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTQ30N60P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH42N60P3	PTH	N	830	600	30	5	42	0.185	78	250	-	150	TO-247
IXTH30N60P	PTH	N	540	600	30	5	30	0.24	82	500	-	150	TO-247
IXTT30N60P	SMD	N	540	600	30	5	30	0.24	82	500	-	150	TO-268
IXTV30N60P	PTH	N	540	600	30	5	30	0.24	82	500	-	150	PLUS220
IXTV30N60PS	SMD	N	540	600	30	5	30	0.24	82	500	-	150	PLUS220SMD