Транзистор IXTQ36P15P
IXTQ36P15P - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 36 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.11 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 55 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 228 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTQ36P15P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTA36P15P |
SMD |
P |
300 |
150 |
20 |
4.5 |
36 |
0.11 |
55 |
228 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTH36P15P |
PTH |
P |
300 |
150 |
20 |
4.5 |
36 |
0.11 |
55 |
228 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXTP36P15P |
PTH |
P |
300 |
150 |
20 |
4.5 |
36 |
0.11 |
55 |
228 |
- |
150 |
TO-220 |