Транзистор IXTQ40N50Q
IXTQ40N50Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 500 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.14 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 130 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 600 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTQ40N50Q можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH40N50Q |
PTH |
N |
500 |
500 |
30 |
4.5 |
40 |
0.14 |
130 |
250 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFH50N60X |
PTH |
N |
660 |
600 |
30 |
4.5 |
50 |
0.073 |
116 |
62 |
3300 |
150 |
TO-247 |
| IXFH52N50P2 |
PTH |
N |
960 |
500 |
30 |
4.5 |
52 |
0.12 |
113 |
250 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFQ50N60X |
PTH |
N |
660 |
600 |
30 |
4.5 |
50 |
0.073 |
116 |
62 |
3300 |
150 |
TO-3P |
| IXFT50N60X |
SMD |
N |
660 |
600 |
30 |
4.5 |
50 |
0.073 |
116 |
62 |
3300 |
150 |
TO-268 |
| IXFT52N50P2 |
SMD |
N |
960 |
500 |
30 |
4.5 |
52 |
0.12 |
113 |
250 |
- |
150 |
TO-268 |