Транзистор IXTQ44N50P
IXTQ44N50P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 650 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 44 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.14 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 98 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 400 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTQ44N50P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH44N50P |
PTH |
N |
650 |
500 |
30 |
5 |
44 |
0.14 |
98 |
200 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFH60N50P3 |
PTH |
N |
1040 |
500 |
30 |
5 |
60 |
0.1 |
96 |
250 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFK44N50P |
PTH |
N |
650 |
500 |
30 |
5 |
44 |
0.14 |
98 |
200 |
- |
150 |
TO-264 |
| IXFQ60N50P3 |
PTH |
N |
1040 |
500 |
30 |
5 |
60 |
0.1 |
96 |
250 |
- |
150 |
TO-3P |
| IXFT44N50P |
SMD |
N |
650 |
500 |
30 |
5 |
44 |
0.14 |
98 |
200 |
- |
150 |
TO-268 |
| IXFT60N50P3 |
SMD |
N |
1040 |
500 |
30 |
5 |
60 |
0.1 |
96 |
250 |
- |
150 |
TO-268 |