Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTQ82N25P

IXTQ82N25P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 500 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 82 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.035 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 142 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTQ82N25P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT30M30B2FLLG	PTH	N	694	300	30	5	100	0.03	140	22	1895	150	TMAX
APT30M30B2LLG	PTH	N	694	300	30	5	100	0.03	140	22	1895	150	TMAX
APT30M30LFLL	PTH	N	694	300	30	5	100	0.03	140	22	1895	150	TO-264
APT30M30LLLG	PTH	N	694	300	30	5	100	0.03	140	22	1895	150	TO-264
IXTH96N25T	PTH	N	625	250	30	5	96	0.029	114	158	-	150	TO-247
IXTK82N25P	PTH	N	500	250	20	5	82	0.035	142	200	-	150	TO-264
IXTQ96N25T	PTH	N	625	250	30	5	96	0.029	114	158	-	150	TO-3P
IXTT82N25P	SMD	N	500	250	20	5	82	0.035	142	200	-	150	TO-268
IXTV96N25T	PTH	N	625	250	30	5	96	0.029	114	158	-	150	PLUS220