Транзистор IXTQ86N20T
IXTQ86N20T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 480 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 86 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.029 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 90 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 140 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXTQ86N20T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTA86N20T |
SMD |
N |
480 |
200 |
30 |
5 |
86 |
0.029 |
90 |
140 |
- |
175 |
TO-263 |
| IXTP86N20T |
PTH |
N |
480 |
200 |
30 |
5 |
86 |
0.029 |
90 |
140 |
- |
175 |
TO-220 |