Транзистор IXTR16P60P
IXTR16P60P - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: ISOPLUS247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 190 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.79 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 92 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 440 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTR16P60P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH16P60P |
PTH |
P |
460 |
600 |
20 |
4.5 |
16 |
0.72 |
92 |
440 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXTT16P60P |
SMD |
P |
460 |
600 |
20 |
4.5 |
16 |
0.72 |
92 |
440 |
- |
150 |
TO-268 |