Транзистор IXTR200N10P
IXTR200N10P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: ISOPLUS247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 120 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.008 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 235 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXTR200N10P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP85T10GR-HF |
PTH |
N |
300 |
100 |
20 |
5 |
125 |
0.008 |
100 |
95 |
770 |
175 |
TO-262 |