Транзистор IXTT02N450HV
IXTT02N450HV - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 113 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 4500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 6.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 750 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 48 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 19 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTT02N450HV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTA02N450HV |
SMD |
N |
113 |
4500 |
20 |
6.5 |
0.2 |
750 |
- |
48 |
19 |
150 |
TO-263 |
| IXTH02N450HV |
PTH |
N |
113 |
4500 |
20 |
6.5 |
0.2 |
625 |
- |
48 |
19 |
150 |
TO-247HV |