Транзистор IXTT120N15P
IXTT120N15P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 600 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 120 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.016 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 150 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 150 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXTT120N15P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH130N20T |
PTH |
N |
830 |
200 |
20 |
5 |
130 |
0.016 |
150 |
150 |
- |
175 |
TO-247 |
| IXTQ120N15P |
PTH |
N |
600 |
150 |
20 |
5 |
120 |
0.016 |
150 |
150 |
- |
175 |
TO-3P |
| IXTQ130N20T |
PTH |
N |
830 |
200 |
20 |
5 |
130 |
0.016 |
150 |
18 |
970 |
175 |
TO-3P |