Транзистор IXTT12N140

IXTT12N140 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-268

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 890 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 140 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 106 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 1200 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IXTT12N140 можно заменить на:

Нет элементов для замены