Транзистор IXTT1N300P3HV
IXTT1N300P3HV - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268HV
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 195 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 3000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 50 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 48 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTT1N300P3HV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH1N300P3HV |
PTH |
N |
195 |
3000 |
20 |
4 |
1 |
50 |
- |
35 |
48 |
150 |
TO-247HV |