Транзистор IXTT2N170D2
IXTT2N170D2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 568 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1700 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 6.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 110 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 58 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 206 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTT2N170D2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH2N170D2 |
PTH |
N |
568 |
1700 |
20 |
- |
2 |
6.5 |
110 |
58 |
206 |
150 |
TO-247 |