Транзистор IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268HV
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 520 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 2000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 27 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 133 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTT3N200P3HV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH3N200P3HV |
PTH |
N |
520 |
2000 |
20 |
5 |
3 |
8 |
- |
27 |
133 |
150 |
TO-247HV |