Транзистор IXTT500N04T2
IXTT500N04T2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1000 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 500 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0016 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 405 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 84 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXTT500N04T2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH500N04T2 |
PTH |
N |
1000 |
40 |
20 |
3.5 |
500 |
0.0016 |
405 |
84 |
- |
175 |
TO-247 |