Транзистор IXTT52N30P
IXTT52N30P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 400 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 52 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.066 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 110 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTT52N30P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH52N30P |
PTH |
N |
400 |
300 |
20 |
5 |
52 |
0.066 |
110 |
200 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFV52N30P |
PTH |
N |
400 |
300 |
20 |
5 |
52 |
0.066 |
110 |
200 |
- |
150 |
PLUS220 |
| IXFV52N30PS |
SMD |
N |
400 |
300 |
20 |
5 |
52 |
0.066 |
110 |
200 |
- |
150 |
PLUS220SMD |
| IXTQ52N30P |
PTH |
N |
400 |
300 |
20 |
5 |
52 |
0.066 |
110 |
250 |
- |
150 |
TO-3P |