Транзистор IXTU01N80
IXTU01N80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 50 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 8 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTU01N80 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STD1NK80Z-1 |
PTH |
N |
45 |
800 |
30 |
4.5 |
1 |
16 |
7.7 |
30 |
26 |
150 |
IPAK |
| STD1NK80ZT4 |
SMD |
N |
45 |
800 |
30 |
4.5 |
1 |
16 |
7.7 |
30 |
26 |
150 |
DPAK |