Транзистор IXTU1R4N60P
IXTU1R4N60P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 9 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 500 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTU1R4N60P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTA3N60P |
SMD |
N |
70 |
600 |
30 |
5.5 |
3 |
2.9 |
- |
500 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTA4N60P |
SMD |
N |
89 |
600 |
30 |
5.5 |
4 |
2 |
13 |
500 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTY1R4N60P |
SMD |
N |
50 |
600 |
30 |
5.5 |
1.4 |
9 |
- |
500 |
- |
150 |
TO-252 |
| IXTY3N60P |
SMD |
N |
70 |
600 |
30 |
5.5 |
3 |
2.9 |
- |
500 |
- |
150 |
TO-252AA |
| IXTY4N60P |
SMD |
N |
89 |
600 |
30 |
5.5 |
4 |
2 |
13 |
500 |
- |
150 |
TO-252 |