Транзистор IXTV110N25TS
IXTV110N25TS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PLUS220SMD
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 694 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 110 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.024 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 157 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 170 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTV110N25TS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH110N25T |
PTH |
N |
694 |
250 |
20 |
4.5 |
110 |
0.024 |
157 |
170 |
- |
150 |
TO-247 |