Транзистор IXTV200N10TS
IXTV200N10TS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PLUS220SMD
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 550 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 200 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0055 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 152 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 76 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXTV200N10TS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH200N10T |
PTH |
N |
550 |
100 |
30 |
4.5 |
200 |
0.0055 |
152 |
76 |
- |
175 |
TO-247 |
| IXTQ200N10T |
PTH |
N |
550 |
100 |
30 |
4.5 |
200 |
0.0055 |
152 |
76 |
- |
175 |
TO-3P |
| IXTV200N10T |
PTH |
N |
550 |
100 |
30 |
4.5 |
200 |
0.0055 |
152 |
76 |
- |
175 |
PLUS220 |