Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTV26N60P

IXTV26N60P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: PLUS220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 460 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 26 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.27 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 72 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 500 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTV26N60P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH26N60P	PTH	N	460	600	30	5	26	0.27	72	200	-	150	TO-247
IXFH28N60P3	PTH	N	695	600	30	5	28	0.26	50	250	-	150	TO-247
IXFQ28N60P3	PTH	N	695	600	30	5	28	0.26	50	250	-	150	TO-3P
IXFT26N60P	SMD	N	460	600	30	5	26	0.27	72	200	-	150	TO-268
IXFV26N60P	PTH	N	460	600	30	5	26	0.27	72	200	-	150	PLUS220
IXFV26N60PS	SMD	N	460	600	30	5	26	0.27	72	200	-	150	PLUS220SMD
IXTH26N60P	PTH	N	460	600	30	5	26	0.27	72	500	-	150	TO-247
IXTQ26N60P	PTH	N	460	600	30	5	26	0.27	72	500	-	150	TO-3P
IXTT26N60P	SMD	N	460	600	30	5	26	0.27	72	500	-	150	TO-268
IXTV26N60PS	SMD	N	460	600	30	5	26	0.27	72	500	-	150	PLUS220SMD