Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTV86N25T

IXTV86N25T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: PLUS220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 540 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 86 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.037 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 105 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 156 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IXTV86N25T можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH94N30P3	PTH	N	1040	300	20	5	94	0.036	102	19	965	150	TO-247
IXFQ94N30P3	PTH	N	1040	300	20	5	94	0.036	102	19	965	150	TO-3P
IXFT94N30P3	SMD	N	1040	300	20	5	94	0.036	102	19	965	150	TO-268
IXTH86N25T	PTH	N	540	250	-	-	86	0.037	105	156	-	-	TO-247
IXTQ86N25T	PTH	N	540	250	-	-	86	0.037	105	156	-	-	TO-3P