Транзистор IXTX8N150L
IXTX8N150L - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: PLUS247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 700 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 8 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 250 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 1700 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTX8N150L можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTK8N150L |
PTH |
N |
700 |
1500 |
30 |
8 |
8 |
3.6 |
250 |
1700 |
- |
150 |
TO-264 |