Транзистор IXTY01N100
IXTY01N100 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 80 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 1500 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTY01N100 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTA05N100 |
SMD |
N |
40 |
1000 |
30 |
4.5 |
0.75 |
17 |
- |
710 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTA06N120P |
SMD |
N |
42 |
1200 |
20 |
4.5 |
0.6 |
34 |
13.3 |
900 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTA08N120P |
SMD |
N |
50 |
1200 |
20 |
4.5 |
0.8 |
25 |
14 |
900 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTA1N120P |
SMD |
N |
63 |
1200 |
20 |
4.5 |
1 |
20 |
17.6 |
900 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTP05N100 |
PTH |
N |
40 |
1000 |
30 |
4.5 |
0.75 |
17 |
- |
710 |
- |
150 |
TO-220 |
| IXTP05N100M |
PTH |
N |
25 |
1000 |
30 |
4.5 |
0.7 |
17 |
- |
710 |
- |
150 |
TO-220 |
| IXTP06N120P |
PTH |
N |
42 |
1200 |
20 |
4.5 |
0.6 |
34 |
13.3 |
900 |
- |
150 |
TO-220 |
| IXTP08N120P |
PTH |
N |
50 |
1200 |
20 |
4.5 |
0.8 |
25 |
14 |
900 |
- |
150 |
TO-220 |
| IXTP1N120P |
PTH |
N |
63 |
1200 |
20 |
4.5 |
1 |
20 |
17.6 |
900 |
- |
150 |
TO-220 |
| IXTU05N100 |
PTH |
N |
40 |
1000 |
30 |
4.5 |
0.75 |
17 |
- |
710 |
- |
150 |
TO-251 |