Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTY05N100

IXTY05N100 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IXTY05N100 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
2SK1414 PTH N 200 1500 20 - 6 3.5 - 85 350 150 TO-3PBL
2SK3748-1E PTH N 65 1500 20 - 4 7 80 75 140 150 TO-3PF
2SK696 PTH N 100 1000 20 - 3 4 - 125 610 150 TO-247AD
BUZ50A-220M PTH N 75 1000 20 - 1 10 - 150 300 150 TO-220M
BUZ50B-220M PTH N 75 1000 20 - 1.5 10 - 150 300 150 TO-220M
IXFA3N120 SMD N 200 1200 20 5 3 4.5 39 300 - 150 TO-263
IXFP3N120 PTH N 200 1200 20 5 3 4.5 39 300 - 150 TO-220
IXTA05N100 SMD N 40 1000 30 4.5 0.75 17 - 710 - 150 TO-263
IXTA3N110 SMD N 150 1100 20 5 3 4 39 700 - 150 TO-263
IXTA3N120 SMD N 200 1200 20 5 3 4.5 42 700 - 150 TO-263
IXTH1N100 PTH N 60 1000 20 4.5 1.5 11 23 710 - 150 TO-247
IXTH3N120 PTH N 100 1200 20 4.5 3 4.5 42 700 - 150 TO-247
IXTP05N100 PTH N 40 1000 30 4.5 0.75 17 - 710 - 150 TO-220
IXTP3N110 PTH N 150 1100 20 5 3 4 39 700 - 150 TO-220
IXTP3N120 PTH N 200 1200 20 5 3 4.5 42 700 - 150 TO-220
IXTT1N100 SMD N 60 1000 20 4.5 1.5 11 23 710 - 150 TO-268
IXTU05N100 PTH N 40 1000 30 4.5 0.75 17 - 710 - 150 TO-251