Транзистор IXTY1R4N100P
IXTY1R4N100P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 63 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 11 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 17.8 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 750 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTY1R4N100P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTA1R4N100P |
SMD |
N |
63 |
1000 |
20 |
4.5 |
1.4 |
11 |
17.8 |
750 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTP1R4N100P |
PTH |
N |
63 |
1000 |
20 |
4.5 |
1.4 |
11 |
17.8 |
750 |
- |
150 |
TO-220 |