Транзистор IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-252

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 86 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1200 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 13 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 27 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 36 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTY1R4N120P можно заменить на:

Нет элементов для замены